導(dǎo)電微晶靜電場描繪儀/ 型號:HAGVZ-4

導(dǎo)電微晶靜電場描繪儀/ 型號:HAGVZ-4

.知識準備

1． 關(guān)鍵詞：模擬法，靜電場，穩(wěn)恒電流場，等位線，電力線；

2． 用模擬法測繪靜電場分布的原理；

3． 斯定律。

二．實驗?zāi)康?nbsp;          

        1、學(xué)習(xí)用模擬方法來測繪具有相同數(shù)學(xué)形式的物理場；

      2、描繪出分布曲線及場量的分布點；

      3、加深對各物理場概念的理解；

      4、初步學(xué)會用模擬法測量和研究二維靜電場。

主要術(shù)參數(shù)：

1.     HAGVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電

（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形或飛機機翼電場）。
2.規(guī)格為420mm*260mm,100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.同心圓印有坐標(大r6.5cm ,小r1cm),其他電距離為8cm. 
4.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。
5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。
6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細度可達0.01V。